ラピダスが2ナノ半導体試作品でトランジスタ動作を確認
世界にないイノベーションに向け会社一丸で超えた大きな中間目標
報道関係者に公開されたラピダスの新工場「IIM-1」(イーム・ワン)。札幌ドームとほぼ同じという大きさに圧倒される(7月18日午後)
次世代半導体の量産を目指しているラピダス(本社東京)は7月18日に開いた記者会見で、千歳市美々の新工場「IIM-1」(イーム・ワン)で試作した回路線幅2nm(2ナノメートル※1ナノは10億分の1単位)の半導体で、トランジスタ動作を確認したことを明らかにした。同社は昨年12月25日に2nmの回路を形成できるASML社(オランダ)のEUV(極端紫外線)露光装置をイーム・ワンに搬入。本年4月1日にはパターンの露光・現像に成功し、その3カ月後の7月10日、試作ウエハーにおいて2nmのGAA(ゲートオールアラウンド)トランジスタの動作を日本で初めて確認したという。
(佐久間康介)
2年後に果たした約束
2ナノGAA トランジスタ試作ウエハーを披露する関係者。左からラピダス・東哲郎会長、小池淳義社長、北海道・鈴木直道知事、千歳市・横田隆一市長(7月18日午前、千歳市内)
プレゼンテーションするラピダスの小池社長
ラピダスが完成させた試作ウエハー
2ナノGAA トランジスタ試作ウエハーを披露する関係者。左からラピダス・東哲郎会長、小池淳義社長、北海道・鈴木直道知事、千歳市・横田隆一市長(7月18日午前、千歳市内)
プレゼンテーションするラピダスの小池社長
ラピダスが完成させた試作ウエハー
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